Компания Samsung запускает в производство 48-слойные микросхемы флеш-памяти, изготовленные по объемной технологии V-NAND с ячейками, хранящими по три бита информации. На одном кристалле такой микросхемы можно будет записать 256 гигабит (32 гигабайта) данных, то есть в два раза больше, чем на выпускавшихся компанией до сих пор микросхемах. Соответственно, может удвоиться и объем выпускаемых Samsung твердотельных накопителей. Кроме увеличения объема, новые микросхемы с 48 слоями потребляют на 30% меньше энергии по сравнению с микросхемами с 32 слоями, а производительность их на 40% больше, утверждают в компании.

Технология V-NAND, разработанная компанией Samsung, принадлежит к классу так называемых объемных -технологий хранения данных во флеш-памяти. Ячейки памяти в таких микросхемах располагаются послойно. Год назад Samsung первой в мире выпустила объемные микросхемы памяти с 32 слоями и тремя битами на ячейку. В марте этого года 48-слойные микросхемы с емкостью 128 гигабит выпустила Toshiba, а в августе она с компанией SanDisk запустила производство схем с емкостью 256 гигабит.