Группа китайских и американских исследователей из Тяньцзиньского университета и Технологического института Джорджии получила графеновый материал с полупроводниковыми свойствами, достаточными для его практического применения в качестве материала для транзисторов, заменяющего кремний.

Применение графена в электронике давно интересует специалистов, потому что электроны в графене чрезвычайно подвижны. Однако у обычного графена отсутствует запрещенная энергетическая зона, которая и придает кремнию полупроводниковые свойства — то есть позволяет «включать» и «выключать» проводимость материала. Новый материал представляет собой так называемый эпитаксический графен (эпиграфен), выращенный на кристалле карбида кремния и повторяющий его атомную структуру. Этот материал химически, механически и термически устойчив. В настоящее время, утверждают исследователи, это единственный в мире двухмерный полупроводник, пригодный для использования в электронике, и по характеристикам он значительно превосходит все другие разрабатываемые двухмерные полупроводники.