Полупроводниковые схемы на основе кремния почти достигли физически возможного предела миниатюризации, и ученые уже давно ищут материал, обладающий более высокими электрическими характеристиками, из которого можно было бы делать микросхемы, превосходящие кремниевые при том же размере элементов.

Исследователи из Юлихского исследовательского центра (Германия) полагают, что на эту роль подойдет германий. С помощью разработанного несколько лет назад метода ученым удалось встроить в кристаллическую решетку германия атомы олова. Как оказалось, подвижность электронов в германиево-оловянном транзисторе в 2,5 раза превышает подвижность электронов в транзисторе из чистого германия.

Процесс производства германиево-оловянных схем принципиально не отличается от процесса производства обычных схем на КМОП-структурах, и транзисторы из нового материала можно напрямую встраивать в схемы, выпускающиеся на уже существующих производственных линиях, полагают исследователи.

Германиево-оловянные полупроводники также обладают лучшими характеристиками при работе в условиях сверхнизких температур, необходимых для квантовых компьютеров.