Япония и США к концу текущего года откроют совместный исследовательский центр по разработке полупроводниковых компонентов по перспективной 2-нанометровой технологии. Их массовое производство планируется подготовить ко второй половине десятилетия, сообщает Nikkei.

Эти траты включены в бюджетный законопроект на текущий финансовый год, он подразумевает выделение 450 млрд иен (3 млрд долл.) на создание центров производства передовых чипов в Японии и 370 млрд иен (2,5 млрд долл.) на обеспечение производства необходимыми ресурсами, в частности — кремниевыми пластинами и карбидом кремния.

Японские власти утвердили субсидии компаниям Taiwan Semiconductor Manufacturing, Kioxia и Micron Technology на строительство заводов на территории страны. 

США и Япония договорились создать исследовательский центр в конце июля. Токио и Вашингтон в совместном заявлении договорились сотрудничать для повышения устойчивости цепочки поставок в стратегических секторах, включая, полупроводники, батареи и важнейшие полезные ископаемые.

Власти США считают расширение производства полупроводников вопросом национальной безопасности. В октябре администрация Джо Байдена ввела ограничения на поставки полупроводников и оборудования для производства микросхем в Китай.