CEATEC: TDK показала прототип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента
Память STT-MRAM способна записывать и считывать данные с той же скоростью, что и современные микросхемы SRAM и DRAM, но, в отличие от них, является энергонезависимой и может сохранять записанные данные в течение многих лет, как флеш-память.