На заводе компании SanDisk в Еккаити (Япония) начато пилотное производство 48-слойных объемных микросхем флеш-памяти NAND с тремя битами на ячейку (X3). Емкость этих микросхем в два раза превышает емкость ближайших конкурентов по плотности записи и составляет 256 Гбит.

Новые микросхемы построены по разработанной в Toshiba технологии BiCS, позволяющей разместить элементы микросхемы друг над другом в несколько слоев. Такие микросхемы называют «объемными» (3D). Более того, каждая ячейка памяти вместо одного или двух битов данных, как в предыдущих моделях микросхем памяти, может хранить три. На основе микросхем 3D NAND можно будет делать схемы флеш-памяти для смартфонов и планшетов с емкостью до терабайта. Сейчас Toshiba выпускает схемы флеш-памяти с емкостью до 512 Гбит.

Договор о сотрудничестве между Toshiba и SanDisk был заключен в мае прошлого года. Стоимость разработки технологий и строительства завода в то время оценивалась в 4,84 млрд долл.

Микросхемы 3D NAND первой в мире выпустила компания Samsung в прошлом году. Ее вариант технологии построения многослойных микросхем памяти называется V-NAND.