Перед фотолитографией полупроводниковая основа покрывается тонкой пленкой полимерного фоторезиста, после чего он облучается светом через шаблон-маску. Растворимость "засвеченных" участков меняется, затем они смываются с помощью жидкости-"проявителя". При разработке техпроцесса 32 нм объектом особого внимания исследователей стали явления, происходящие на границах между облученным и необлученным фоторезистом.
Ученые Национального института стандартов и технологий США сумели с большой точностью выяснить требуемое: на границах облученных участков проявитель проникает на несколько нм в незасвеченный резист; этот "интерфейсный" регион немного набухает, а после высыхания сжимается. Выяснилось, что величина набухания при этом такова, что в итоге границы между засвеченными и незасвеченными регионами могут оказаться слишком грубыми. Однако благодаря проведенным измерениям ученые сумеют изменить состав резиста таким образом, чтобы обеспечить оптимальную степень набухания.