Графен и другие так называемые двумерные материалы, толщина которых составляет лишь один атом, можно использовать для создания очень тонких, гибких и прозрачных электронных устройств. Сейчас такие материалы изготавливают, отделяя тонкие слои от кристалла с помощью клейкой ленты. Группе исследователей из Массачусетского технологического института удалось найти более эффективный способ.
Сначала на сапфировую подложку наносится толстый слой будущего двумерного материала. Затем на него накладывается пленка из никеля толщиной 600 нм. Двумерные материалы гораздо сильнее прилипают к никелю, чем к сапфиру, и поэтому слой материала отделяется от подложки вместе с пленкой. Если затем снизу приложить к нему еще одну никелевую пленку, то на ней останется слой материала толщиной в один атом. Это происходит потому, что при отделении от сапфира в материале образуются трещины, проходящие через весь слой.
Такой метод работает со многими двумерными материалами, в том числе с гексагональным нитридом бора и дисульфидами вольфрама и молибдена. Пленки из двумерных материалов можно накладывать друг на друга, создавая сложные схемы. Авторы продемонстрировали возможность изготовления этим методом массивов полевых транзисторов.
