| Год ввода в серию | 1997 | 1999 | 2001 | 2003 | 2005 | 2007¹ | 2009¹ | 2011¹ |
| Техпроцесс, нм | 250 | 180 | 130 | 90 | 65 | 45 | 32 | 22 |
| Ширина канала затвора, нм | 200 | 130 | 70 | 50 | 35 | 25 | н/д | н/д |
| Диаметр пластины, мм | 200 | 200 | 200 и 300 | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 |
| Материал межсоединений | Al | Al | Cu | Cu | Cu | Cu | Cu | н/д |
| Материал канала | Si | Si | Si | напр. Si | напр. Si | напр. Si | напр. Si | напр. Si |
| Материал диэлектрика затвора | SiO2 | SiO2 | SiO2 | SiO2 | SiO2 | High-k | High-k | High-k |
| Материал затвора | Si | Si | Si | Si | Si | Металл | Металл | Металл |
¹ Предварительные данные.
Примечание. Si — кремний; SiO2 — оксид кремния; High-k — материал с высоким диэлектрическим сопротивлением (состав официально не объявлен).
