Компания Samsung приступила к выпуску модулей памяти 3D DDR4 для серверов, которые изготавливаются с использованием технологии трехмерных межслойных соединений TSV (through silicon via). Ожидается, что они помогут существенно повысить производительность серверов, поскольку данные будут храниться в памяти дольше, а информационный обмен между оперативной памятью и другими компонентами сервера сократится.
В настоящее время микросхемы памяти размещаются в модулях памяти горизонтально, вертикальное же размещение, предлагаемое Samsung, обеспечит более эффективное использование имеющегося пространства. Память DDR4 постепенно начнет вытеснять применяемые сейчас модули DDR3, прежде всего в серверах и игровых ПК. Переход на DDR4 позволит на 50% увеличить пропускную способность памяти и на 35% сократить ее энергопотребление.
Процессор Grantley, поддерживающий модули DDR4, выпущен корпорацией Intel в начале сентября и устанавливается в серверы Lenovo и Dell. Соединения TSV уже сейчас используются в решении HMC (Hybrid Memory Cube), предложенном компанией Micron, а в ближайшие годы появятся и в графических чипах Nvidia. Микросхемы памяти Samsung будут изготавливаться по 20-нанометровой технологии.
