Он изготавливается по 32-нанометровой технологии «кремний на диэлектрике» (SOI) и по сравнению со стандартными обеспечивает на 30% большую производительность и на 40% сниженное потребление энергии. Обычная статическая память SRAM способна достичь таких показателей только при использовании 15-нанометровых технологий. Плотность записи у новых ячеек памяти в четыре раза превышает плотность записи современных 32-нанометровых ячеек SRAM. Кроме того, она потребляет в четыре раза меньше энергии в фоновом режиме и обладает в тысячу раз меньшим уровнем ошибок, вызванных накоплением статических зарядов.
По утверждениям компании, память обладает задержками менее 2 наносекунд и является самой быстрой на сегодняшний день встраиваемой памятью.
