|
| В 2007 году в Intel планируют внедрить технологию изготовления микросхем с топологическим размером элемента 45 нм. |
В 2007 году в Intel планируют внедрить технологию изготовления микросхем с топологическим размером элемента 45 нм. Чтобы снизить утечку тока, связанную с уменьшением транзисторов, планируется ввести некоторые новшества. Во-первых, в качестве подзатворного диэлектрика вместо применяемого сейчас диоксида кремния в Intel собираются использовать некое новое вещество с высокой диэлектрической проницаемостью. Во-вторых, поликремниевые электроды затвора планируется заменить на металлические; название металла Intel держит в секрете. Как объяснил главный аналитик Mercury Research Дин Маккэррон, диэлектрик используется для того, чтобы электрическое поле, приложенное к механизму переключения — электроду затвора, не взаимодействовало с током, протекающим через транзистор. С уменьшением транзисторов подзатворный диэлектрик пришлось сузить до такой степени, что ток из канала транзистора стал утекать на поверхность кристалла, повышая теплоотделение. В Intel же в результате пятилетнего исследования нашли материал, который не хуже диоксида кремния изолирует упомянутые электрические поля, но при этом достаточно плотен, чтобы помешать утечке. По сравнению с диоксидом кремния новое вещество примерно в 100 раз снижает утечку тока и повышает электрическую емкость транзистора на 60% (за счет чего увеличивается скорость его переключения). Однако в результате соседства «вещества Х» с поликремниевыми электродами затвора транзистор начал требовать большего напряжения питания для работы, и скорость прохождения электронов по каналу снизилась. Данная проблема была решена Intel путем применения металлических электродов. Сейчас корпорация внедряет технологию изготовления микросхем по 90-нанометровой технологии, а перед тем как в Intel начнут пользоваться упомянутыми новшествами, последует еще один этап — 65 нм.
