|
|
| устройств |
Исследователи из корпорации Motorola утверждают, что им впервые удалось предложить технологию производства гибридных полупроводников из привычного кремния и более сложных материалов, обозначаемых индексом АIII-ВV (это название обусловлено их расположением в третьей и пятой колонках периодической таблицы химических элементов). К подобным соединениям относятся арсенид галлия (GaAs) и фосфат индия (InP). Их превосходные электрические и оптические характеристики обеспечивают высокую скорость коммутации и малое потребление электроэнергии, однако практическое их использование весьма ограничено. Кремний же, «рабочая лошадка» полупроводниковой индустрии, стоит достаточно дешево, но имеет некоторые отрицательные черты. Он плохо излучает свет, что затрудняет интеграцию кремниевых микросхем в лазерные и волоконно-оптические системы. Оригинальная технология, разработанная в Motorola, предусматривает нанесение на кремниевую подложку тонкого слоя материалов АIII-ВV. В результате кремниевые микросхемы приобретают новые свойства, благодаря которым удается сэкономить дополнительное пространство и снизить стоимость изготовления устройств. Эти технологические новшества, как утверждают в Motorola, могут изменить ситуацию во всей полупроводниковой индустрии.
