Специалисты IBM и ее партнеров по исследовательской деятельности, компаний GlobalFoundries и Samsung, объявили о разработке процесса изготовления транзисторов из кремниевых нанолистов, позволяющего выпускать микросхемы с топологическим размером элемента 5 нм. Как подчеркивают в IBM, благодаря этому полупроводниковая отрасль снова делает шаг вперед через два года после создания первого опытного образца 7-нанометрового процессора. Как сообщают представители корпорации, разработанный транзистор имеет новую структуру, отличающуюся от транзисторов типа FinFET, которые используются в нынешних чипах. В IBM объясняют, что топологический размер процессоров с такими транзисторами можно уменьшить до 5 нм, но из-за особенностей их строения необходимое увеличение быстродействия достигнуто не будет. Между тем, по сравнению с чипами, выпускаемыми по самому передовому на сегодня техпроцессу 10 нм, 5-нанометровые процессоры на основе кремниевых нанолистов могут обеспечить увеличение быстродействия на 40% при том же расходе энергии либо снижение энергозатрат на 75% при той же производительности. При этом для изготовления процессоров нового типа можно пользоваться существующим оборудованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете.
 |
| Источник: IBM |