Компания Samsung Electronics сообщила о начале поставок самого емкого в мире твердотельного накопителя. Модель PM1633a позволяет хранить до 15,36 Тбайт. Выпускаться новое устройство будет в типичном для портативных компьютеров формате 2,5 дюйма.

Новый накопитель использует характерный для корпоративных систем хранения интерфейс Serial Attached SCSI (SAS) с пропускной способностью 12 Гбит/с. Модель PM1633a обладает очень высоким уровнем производительности. Скорость чтения и записи при произвольной выборке может достигать 200 тыс. и 32 тыс. операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. При последовательном чтении и записи производительность может доходить до 1200 Мбайт/с. У типичного твердотельного накопителя с интерфейсом SATA максимальная скорость — 550 Мбайт/с.

Поскольку модель PM1633a выпускается в формате 2,5 дюйма, ИТ-администраторам придется продумать, как устанавливать ее в 19-дюймовую стойку. В настоящее время большинство накопителей размещаются в отсеках высотой 2U, что соответствует стандарту 3,5 дюйма.

Ожидается, что новый накопитель поднимет надежность на более высокий уровень. Модель PM1633a рассчитана на ежедневное полное перезаписывание всего имеющегося объема флеш-памяти. Таким образом, пользователи получают возможность каждый день без ошибок записывать 15,36 Тбайт данных.

В Samsung первыми представили 48-слойную микросхему 3D NAND, но сегодня в этой сфере у компании уже появились конкуренты

По сравнению с типичными твердотельными накопителями SATA на базе планарных флеш-технологий NAND MLC и TLC в новых устройствах объемы записываемых данных увеличиваются в 2–10 раз.

В Samsung считают, что при построении корпоративных систем хранения предпочтительнее использовать не жесткие диски, а накопители PM1633a.

Объединив 512 микросхем памяти Samsung V-NAND емкостью 256 Гбит каждая, разработчики накопителя сумели добиться беспрецедентной для одного устройства хранения емкости 15,36 Тбайт. При использовании технологии V-NAND ячейки памяти NAND размещаются друг над другом, словно этажи микроскопического небоскреба. Это позволило не только удвоить плотность ячеек по сравнению со стандартными планарными микросхемами NAND, увеличив емкость со 128 до 256 Гбит, но и повысить производительность.

В августе прошлого года компания Samsung анонсировала 48-слойную память V-NAND на основе технологии NAND с многоуровневыми ячейками (multi-level cell, MLC), обеспечивающими хранение 3 бит данных.

В микросхемах V-NAND используется структура 3D Charge Trap Flash (CTF) — 48 слоев ячеек размещаются вертикально. Для установки электрических соединений в слоях с помощью травления проделаны 1,8 млрд канальных отверстий. В общей сложности каждый чип, легко умещающийся на кончике пальца, содержит более 85,3 млрд ячеек. В каждой ячейке может храниться 3 бит данных, что в совокупности дает 256 млрд бит, или 256 Гбит.

Микросхемы емкостью 256 Гбит объединены в 16 слоев и образуют пакет объемом в 512 Гбайт. Весь накопитель емкостью 15,36 Тбайт состоит из 32 таких пакетов.

В 2014 году Samsung стала первой компанией, анонсировавшей микросхему флеш-памяти 3D NAND с архитектурой трехбитовых ячеек MLC. В октябре 2014 года началось массовое производство 32-слойных чипов V-NAND. А в августе прошлого года был налажен выпуск 48-слойных микросхем V-NAND.

Между тем, в прошлом году SanDisk и Toshiba анонсировали начало производства 48-слойных микросхем флеш-памяти 3D NAND объемом 256 Гбит с многоуровневыми ячейками, позволяющими хранить 3 бит данных. По своей емкости новые чипы в два раза превосходили микросхемы, выпускавшиеся ранее. Используемая при их изготовлении технология 3D NAND получила название BiCS (Bit Cost Scaling).