Toshiba и SanDisk совместно разработали технологию выпуска флэш-памяти NAND с топологическим размером элемента 15 нм, опередив других производителей. Флэш-память NAND широко применяется в мобильных устройствах. Новая производственная технология будет внедрена на заводе Toshiba в Йоккаичи (Япония) взамен используемого сейчас процесса на 19 нм второго поколения. По новой технологии будут выпускаться чипы NAND емкостью 16 Гбайт, хранящие по два бита в каждой ячейке. Скорость обмена данными с такими микросхемами составит 533 Мбит/с, это в 1,3 раза больше, чем у флэш-памяти, выпускаемой по техпроцессу на 19 нм. Серийное производство новых микросхем начнется в конце апреля. В San­Disk сообщают, что 15-нанометровая флэш-память будет использоваться в широком диапазоне продуктов, от карт памяти до твердотельных накопителей уровня предприятия.