.jpg) |
|
НОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ DDR3 DRAM, изготовленные по технологии 20 нм Источник: Samsung |
Компания Samsung сообщила о совершении прорыва в области дальнейшего повышения компактности и эффективности памяти DRAM. Представлены первые микросхемы DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит, изготовленные по технологии 20 нм.
Чем меньше размеры транзисторов, тем выше становится емкость микросхемы при неизменных габаритах. Чем компактнее схема, тем дешевле себестоимость ее производства при той же или даже более высокой емкости.
Память DDR3 используется сегодня в настольных компьютерах, ноутбуках, ультрабуках и планшетах.
Благодаря новым технологиям клиенты получат существенное сокращение энергопотребления, а также снижение стоимости микросхем.
«У нас еще не было возможности переговорить с производителями устройств, но мы уверены, что клиенты окажутся в выигрыше благодаря значительному уменьшению общей стоимости владения», — заявили в пресс-службе Samsung.
Компания Samsung уже поставляет новые микросхемы DDR3 ряду производителей. Ожидается, что модернизированная память появится в устройствах уже в текущем году.
За последние пять лет Samsung сумела уменьшить размеры транзисторов памяти DRAM с 50 нм (в 2009 году) сначала до 30 нм (в 2010-м), затем до 25 нм (в 2011-м) и, наконец, до 20 нм сегодня.
Если норма проектирования флэш-памяти NAND уже давно доведена до 19 нм, то с уменьшением размеров элементов микросхем DRAM возникали определенные сложности.
Каждая ячейка памяти DRAM содержит конденсатор (где удерживается электрический заряд) и транзистор, связанный с другими элементами, в то время как в ячейке флэш-памяти NAND присутствует только транзистор. Соответственно для уменьшения нормы проектирования микросхем DRAM требуется уменьшать размеры как транзистора, так и конденсатора.
Представители Samsung сообщили, что им удалось усовершенствовать конструкцию памяти DRAM и производственные технологии, модифицировав технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения.
Микросхемам DRAM и NAND требуются наноструктуры повышенной плотности. Атомно-слоевое осаждение представляет собой технологию осаждения этих наноструктур с использованием тонких пленок с высокой степенью однородности. Метод двойного шаблона позволяет удвоить функциональные возможности.
Как утверждают в Samsung, технология двойного шаблона имеет очень важное значение. Позволяя организовать производство микросхем DDR3 по технологии 20 нм с использованием существующего фотолитографического оборудования, она закладывает основы для будущего поколения микросхем DRAM с нормой проектирования 10 нм.
Компании Samsung удалось создать сверхтонкие диэлектрические слои конденсаторов ячеек с беспрецедентной однородностью, что способствовало дальнейшему увеличению производительности ячеек.
Благодаря новым инновационным процессам производительность микросхем DDR3, имеющих емкость 4 Гбит и норму проектирования 20 нм, выросла на 30% по сравнению с чипами DDR3, изготавливаемыми по технологии 25 нм, и более чем в два раза превысила производительность микросхем DDR3 с нормой проектирования 30 нм.
Новые модули, выпускаемые на основе микросхем DDR3, имеющих емкостью 4 Гбит и норму проектирования 20 нм, потребляют на 25% меньше электроэнергии по сравнению с изделиями, которые изготавливаются по технологии 25 нм.