Один из вариантов дальнейшего развития микроэлектроники — изготовление транзисторов из углеродных нанотрубок, которые обладают хорошими электрическими свойствами, но при формировании вырастают непредсказуемо изогнутыми, что не позволяет создавать на них гарантированно работоспособные схемы. Решение нашла группа инженеров Стэнфордского университета, поэкспериментировав с простейшим элементом — вентилем НЕ-И и добившись его стабильной работоспособности независимо от дефектов конфигурации нанотрубок. Затем путем обобщения ученые разработали алгоритм, который позволяет проектировать любые микроэлектронные схемы на нанотрубках таким образом, что они будут работать «в обход» дефектных участков. По словам авторов алгоритма, он позволяет создавать действующие схемы даже с большим количеством «спутанных» нанопроводников, не требуя их удаления