Techworld.com
Корпорация Intel рассматривает возможности использования долговременной памяти с произвольным доступом на основе фазовых переходов (PCM или PRAM) как готовой замены для флэш-памяти типа NOR (такая память устанавливается в сотовых телефонах). Габариты и скорость памяти PRAM позволяют рассчитывать на использование ее для замены в некоторых случаях памяти DRAM, а также и более долговечной, но менее скоростной флэш-памяти типа NAND, которая сейчас применяется в цифровых камерах и начинает появляться в гибридных жестких дисках.
Возможности PRAM изучают большинство производителей памяти с произвольным доступом. Intel же сообщила, что ей уже удалось разработать схему памяти PRAM, изготавливаемую по 90-нм технологии и выдержавшую 100 млн. циклов записи. Максимальное число циклов записи для стандартных схем флэш-памяти гораздо ниже, а некоторые из них начинают давать сбои уже после 10 тыс. циклов.
Заявленный Intel срок хранения данных — десять лет и выше, что меньше, чем у флэш-памяти такой же емкости, но требует столько же энергии. Время доступа к памяти Intel пока не раскрыла, но у аналогичных образцов, созданных Hitachi этот показатель составлял всего 20 наносекунд. Это гораздо лучше, чем у флэш-памяти (50-90 наносекунд), но существенно медленнее, чем у памяти типа DDR2 (3 наносекунд).
Сначала память PRAM будет использоваться в качестве замены памяти NOR. За это время Intel планирует выявить и устранить все возможные проблемы, и затем уже продвигать ее вверх по технологической лестнице, на замену флэш-памяти NAND. Если же корпорации удастся еще уменьшить время доступа, то на PRAM могут перейти и устройства на базе DRAM. Важно и то, что PRAM не нуждается, как DRAM, в требующем много энергии постоянном обновлении записи.
На основе памяти PRAM можно создавать и гораздо более емкие и скоростные USB-диски и твердотельные диски. Гибридным жестким дискам и материнской плате Intel Robson, использующей кэш на базе флэш-памяти, тоже пригодится кэш-память большего объема и скорости. Это ведет к повышению производительности.
Основными правами на технологии PRAM обладает компания Ovonyx. Все остальные компании — Elpida, IBM, Intel, Macronix, Qimonda и Samsung — используют ее по лицензии. В 2000 году Intel Capital сделала первые вложения в Ovonyx, а в 2005-м — увеличила их. Intel не сообщает, устройства какого объема она будет изучать, но Samsung уже проводила испытания схем на 256 и 512 Мбит, изготовленных по 90-нанометровой технологии.
По словам представителей Intel, закон Мура будет выполняться и по отношению к размерам элементов и скорости памяти PRAM.