Служба новостей IDG, Бостон

В Texas Instruments совершенствуют элементную базу для мобильных устройств ново?го поколения

Стремясь повысить вычислительную мощность телефонов с мультимедийными возможностями и смартфонов, компания Texas Instruments намерена к 2008 году предложить заказчикам новое семейство более быстрых и эффективных процессоров.

По словам представителей Texas Instruments, изготовление «систем на кристалле» (System-on-Chip, SoC), призванных стать основой для мобильных устройств нового поколения, планируется перевести на норму проектирования 45 нм, что само по себе позволит увеличить их производительность на 30% при одновременном сокращении энергопотребления на 40%.

Более производительныые процессоры позволят пользователям беспроводных устройств одновременно запускать приложения, принимать участие в проведении видеоконференций и рассылать электронную почту

«Микросхемы System-on-Chip, обладающие оптимальным соотношением производительности, потребляемой мощности и плотности транзисторов, прекрасно подходят для использования в качестве процессоров для мобильных телефонов и цифровых сигнальных процессоров», — отметил старший вице-президент и директор по технологиям Texas Instruments Ханс Сторк.

Благодаря новым продуктам в Texas Instruments надеются сохранить конкурентоспособность в борьбе с другими поставщиками процессоров, поскольку производителям устройств сегодня нужны полупроводниковые компоненты, которые обеспечили бы мобильному оборудованию надежную связь, большую вычислительную мощность и поддержку растущего числа переносимых мультимедийных и игровых программ, а также приложений делового характера.

Более производительные процессоры позволят увеличить частоту кадров, отображаемых мультимедийными программами на экране мобильного телефона, а пользователи беспроводных устройств смогут одновременно запускать приложения (например, трехмерную видеоигру), принимать участие в проведении видеоконференций и рассылать электронную почту.

Переход на новые техпроцессы сулит Texas Instruments дополнительные преимущества перед конкурентами, поскольку количество микросхем на каждой кремниевой подложке размером 300 мм будет вдвое больше.

В Texas Instruments утверждают, что производительность и эффективность новых процессоров вполне сопоставимы с характеристиками процессоров Intel, анонсированных на недавней конференции Symposium on VLSI Technology.

Напомним, что представители Intel сообщили на этой конференции о планах создания к 2010 году микросхем, в которых будут использоваться «транзисторы с тремя затворами» (tri-gate). Это позволит улучшить электрическую изоляцию, добиться увеличения быстродействия на 45% и сокращения общего энергопотребления на 35% по сравнению с характеристиками транзисторов, изготовленных по технологии 65 нм.

В микросхемах обоих производителей используется один и тот же технический подход. Выигрыш достигается вследствие уменьшения электрической емкости за счет использования «растянутого кремния» в сочетании с диэлектрическими материалами, обладающими низким сопротивлением.

В основе производств обеих компании — традиционная КМОП-технология, однако отличительная особенность интегрированных микросхем Texas Instruments заключается в их способности объединять в рамках одного чипа множество функций, начиная от цифровой радиосвязи и заканчивая функциями аналоговых компонентов: резисторов, индукторов и конденсаторов.

Увеличение плотности размещения транзисторов благодаря применению фотолитографии вместо сухой литографии позволило Texas Instruments довести размеры ячейки статической памяти SRAM, получаемой при норме проектирования 45 нм, до 0,24 мкм2. Это на 30% меньше, чем у конкурентов.

В компании Texas Instruments планируют наладить выпуск новых процессоров на своей фабрике DMOS6 в Далласе в середине 2008 года.