Дополнительные инвестиции, выделенные американской администрацией, должны приблизить их практическое применение
| По мнению Дэвида Тенненхауса, сегодня необходимо наряду с фундаментальными исследованиями уделять большое внимание и инженерным разработкам |
Успехи нанотехнологий несомненны. Уже сейчас они позволяют создавать более быстрые и мощные полупроводниковые компоненты. Однако трудности, с которыми сталкиваются исследователи при приближении к границам их технических возможностей, не могут быть решены при существующем уровне финансирования.
Об этом заявил один из руководителей корпорации Intel в своем выступлении на конференции Nanotech 2004, организатором которой выступил Институт нанонауки и технологии США.
Следует отметить, что администрация Буша уже увеличивала ассигнования на исследования в области нанотехнологий, выделяемые американским федеральным ведомствам и университетам.
Однако, по мнению Дэвида Тенненхауса, вице-президента корпорации Intel, необходимо, наряду с фундаментальными исследованиями, уделять большое внимание и инженерным разработкам.
Как известно, нанотехнология занимается исследованиями в области структур с размерами, не превышающими миллионные доли метра. Большой объем этих исследований концентрируется в области полупроводников, хотя у них есть масса применений, к примеру, в области медицины и биотехнологий.
Тенненхаус отметил, что университеты прекрасно справляются с генерацией новых идей и их апробацией в лабораторных условиях, что финансируется правительством США и такими компаниями, как Intel. Однако, по его мнению, все больше денег нужно вкладывать в университетские проекты, находящие применение новым материалам и технологиям и разрабатывающие прототипы систем на их основе.
«Такой подход становится все более актуальным, так как существующие КМОП-технологии изготовления микроэлектронных компонентов во все большей степени пересекаются с миром нанотехнологий», — пояснил он.
По прогнозам Тенненхауса, к 2013 году исследователи и разработчики должны создать новые материалы и структуры, идущие на смену существующим транзисторам. Инженеры Intel уже работают над расширением возможностей своей технологии транзисторов с тремя затворами, впервые анонсированной в 2002 году, для создания транзистора с материалом затвора, полностью окружающего транзисторный канал.
«Эта технология — всего лишь один из вариантов того, как разработчики могут добиться появления транзистора размером, меньшим, чем 22 нанометра», — заявил Тенненхаус. По его мнению, для того чтобы обеспечить дальнейший рост производительности компьютерных систем в следующем десятилетии, требуются дополнительные исследования таких типов устройств, а также углеродных нанотрубок и нановолокон.
В одном из своих недавних выступлений Клэйтон Тиг, руководитель Национальной службы по координации в области нанотехнологий, отметил, что правительство США знает про эту проблему и предоставляет финансирование для проведения подобных исследований.
«Являясь подразделением Национального совета по науке и технологиям, данная служба отвечает за выделение денежных грантов университетам и федеральным ведомствам, которые работают над интересными и важными проектами в области нанотехнологий», — пояснил Тиг.