Toshiba представляет компоненты, разработанные в партнерстве с SanDisk
Toshiba подготовила пробную партию микросхем флэш-памяти типа NAND емкостью 1 Гбит с нормой проектирования 0,13 мкм, разработанных в сотрудничестве с компанией SanDisk.
Флэш-память типа NAND (логические операции НЕ-И) отличает более высокая скорость перезаписи и большая емкость, чем у устройств типа NOR (логические НЕ-ИЛИ).
Они используются на таких сменных носителях для мобильных устройств, как Smart Media, Compact Flash и SD.
В ноябре минувшего года компания представила свой первый модуль флэш-памяти емкостью 1 Гбит, в котором использовался «стек» микросхем на 512 Мбит и технология многоуровневых ячеек для хранения нескольких разрядов информации в одной ячейке. В то же время многоуровневая технология снижает скорость считывания данных из памяти, заявил представитель корпорации Toshiba Кеничи Сигуама. С 1999 года корпорация сотрудничала с SanDisk над созданием флэш-памяти типа NAND. В итоге в феврале этого года партнеры завершили разработку микросхем флэш-памяти, способных хранить до 1 Гбит информации. Новый законченный продукт основан на этой микросхеме и опирается на технологию одноуровневых ячеек, поэтому поддерживает большую скорость считывания.
За счет изготовления гигабитной микросхемы флэш-памяти по передовой технологии, предполагающей использование нормы проектирования 0,13 мкм, компании получили также возможность уменьшить размер микросхемы по сравнению с ее предшественницей, обладавшей емкостью 512 Мбит.
Образцы новой микросхемы в компоновке TSOP (Thin Small Outline Package) уже поставляются, а устройства в корпусе LGA (Land Grid Array) за такую же цену будут предложены в октябре.