250 Тбит информации на квадратный дюйм

Ричард Фейнман впервые описал атомный куб памяти в 1959 году
Группа ученых Университета штата Висконсин во главе с Францем Химпселом разработала технологию сканирования поверхности кремния при помощи сканирующего туннельного микроскопа, выявляющего наличие или отсутствие атомов кремния в данной точке, что может служить эквивалентом двоичной единицы или нуля. Иными словами, носителем одного разряда информации может стать атом.

На этом этапе атом данных на кремнии должен быть отделен от «соседей» путем размещения в ячейке размером пять на четыре атома; таким образом, для фактического хранения одного бита информации требуется 20 атомов кремния.

Следовательно, плотность записи увеличивается до 250 Тбит на кв. дюйм, что в 2500 раз выше, чем у самых передовых жестких дисков.

«Атомная память» на кремнии прошла тестирование на надежность и скорость. Считывание данных происходи достаточно быстро, хотя и медленнее, чем при использовании дисководов для жестких дисков, но запись данных с максимальной плотностью происходит настолько медленно, что служит непреодолимым препятствием для внедрения. Возможный способ ускорить считывание и запись данных состоит в использовании большого числа сканирующих туннельных микроскопов (scanning tunneling microscope, STM)) параллельно. В одном конструктиве можно использовать до 1000 головок STM.

IBM проводит аналогичные исследования в области хранения данных, при этом используется некая разновидность STM. В компании уверены, что ее технология Millipede, позволяющая записать до 1 Тбит на квадратный дюйм, будет воплощена в конкретные продукты уже в 2005 году.

Идея использовать устройства памяти, действующие на атомном уровне, появилась еще в 1959 году, когда знаменитый физик Ричард Фейнман описал куб памяти, состоящий из 125 атомов, которые хранят один бит.