«Утонченность» DDR SDRAM
15.11.2001
Рубрика:События
960 прочтений
Samsung Electronics снизила себестоимость памяти типа DDR SDRAM, начав использовать для ее изготовления 300-миллиметровые кремниевые пластины. Достичь дальнейшего увеличения числа микросхем, формируемых на каждой пластине, в компании рассчитывают за счет уменьшения размеров элементов полупроводников.
В настоящее время Samsung изготавливает 512-мегабитные микросхемы DDR SDRAM по 0,12-микронной технологии. В 2002 году планируется перейти на 0,10-микронную, а к 2004-м — на 0,07-микронную технологию. В компании предполагают, что к концу года доля микросхем DDR SDRAM большой емкости в общем объеме динамической памяти, выпускаемой Samsung, достигнет 45%.